美政府与美光美境内生产尖端芯片

日期: 2024-04-25 | 来源: VOA美国之音 | 有0人参与评论 | 字体: 小中大
拜登政府与美光就在美国境内生产尖端存储芯片达成协议 https://t.co/KnJMrnVvhC

— 美国之音中文网 (@VOAChinese) April 25, 2024

美国总统乔·拜登（Joe Biden）政府星期三（4月24日）与美国存储芯片制造商美光（Micron）就在美国境内生产尖端存储芯片达成初步协议，这是数十年来的首次。

拜登政府星期三宣布，美国商务部和美光科技签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片与科学法》（CHIPS and Science Act）提供高达约61.4亿美元的直接资金，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。所提议的资金将支持在纽约建设两座动态随机存储器（DRAM）晶圆厂，在爱达荷州新建一家DRAM晶圆厂，以扩大芯片生产。

美光的总体愿景是创造约2万个就业机会，并在未来20年催生高达1250亿美元的民间资本，其中包括在未来六年内承诺500亿美元的资本支出。这些投资将共同推动美光在未来20年内将约40%的DRAM芯片生产转移到国内的计划。

在协议里，纽约州克莱建设计划中4个“巨型晶圆厂”中的前2个晶圆厂，会专注于尖端DRAM芯片的生产。每座晶圆厂将拥有60万平方英尺的洁净室，4个工厂的洁净室空间总计为240万平方英尺，这是美国有史以来宣布的最大洁净室空间，相当于近40个足球场的大小。

另外于爱达荷州博伊西将开发一座高产量制造（HVM）晶圆厂，拥有约60万平方英尺的洁净室空间，专注于生产尖端DRAM芯片。该晶圆厂将与该公司的研发设施位于同一地点，以提高研发和制造业务的效率，减少技术转让的滞后并缩短领先内存产品的上市时间。

美国商务部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）表示：“尖端存储芯片是所有先进技术的基础，在拜登总统的领导下，美国正在重建其生产这些关键能力的能力，这是近二十年来的首次。”她表示，通过这项拟议投资，美国正努力实现拜登政府芯片计划的核心目标之一，将最先进的记忆半导体技术的开发和生产重新引回美国。

雷蒙多说：“这对于维护我们在人工智能领域的领导地位，以及保护我们的经济和国家安全至关重要。”

美光被广泛认为是尖端DRAM技术和生产方面的全球领导者，并且是唯一一家总部位于美国的存储芯片制造商。目前，所有尖端的DRAM芯片制造都在东亚进行。DRAM芯片是无线通信、个人计算、高性能计算、汽车和人工智能等先进技术的重要组件。

美光总裁兼执行长桑贾伊·梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“这是美国半导体制造业的历史性时刻。”他说：“美光领先的内存技术是满足人工智能日益增长需求的基石，我们很自豪能够在美国进行重大的内存制造投资，这将创造许多高科技就业机会。“

美国为重振国内先进芯片的生产不遗余力。拜登政府今年3月份宣布与英特尔（Intel）达成初步协议，向它提供高达85亿美元的直接注资，以及110亿美元的贷款，以加强美国的供应链并重建美国在半导体制造的领先地位。

日前拜登政府还宣布，向三星电子公司（Samsung Electronics）提供最多64亿美元的直接资助，在德克萨斯州建立一个电脑芯片制造和研究中心。

此外由于对华芯片出口管制压力增加，韩国芯片巨头SK海力士（SK Hynix Inc.）4月初宣布将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建立下一代高带宽内存（HBM）生产基地，并计划于2028年下半年开始量产。
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