当追赶被包装成超越,华为终于承认一个事实
2019年，在为一本关于美中竞争的书进行调研期间，我参观了华为(Huawei)在东莞新建的庞大研发园区。这里距离华为的深圳总部约有一小时车程。该园区景象令人叹为观止：占地300英亩，容纳了2.5万多名员工，建有12个仿照巴黎、卢森堡等城市的欧洲风格“小镇”，这些小镇由一列仿照深圳地铁打造的小火车连接。一位华为高管一本正经地向我解释这一设计：“我们在欧洲发展得很好。”
这座园区无处不彰显着该公司的自信。在当年11月接受《华尔街日报》专访时，华为创始人任正非邀请时任美国总统川普前去参观，并以其一贯的豪言壮语对美国的制裁不以为意。他在谈到这些制裁时表示，他们尽可以一直制裁我们，“我们没有美国是能生存得下来的。”
六年多过去了，华为依然屹立不倒，也依然自信满满。上周，华为半导体业务负责人何庭波在上海举行的一场芯片会议上登台，宣布“摩尔定律”有了“继承者”。自1960年代以来，芯片性能大约每两年增长一倍的规律一直是该行业遵循的经验法则。被誉为华为“芯片女王”的何庭波将这一“继承者”称为“韬定律”。
然而，仔细研读该公司的技术论文就会发现，其中传递的信息与华为想表达的并不一致。
这种工程技术确实成立。可以将传统芯片想象成一个单层建筑——几十年来，要提升其“容量”，唯一的方法就是缩小内部的一切东西。华为的技术则另辟蹊径：不再致力于缩小尺寸，而是往上堆叠，将两层电路堆叠在一起，从而缩短信号传输距离。该公司表示，这种方法将使其下一代芯片的晶体管密度比上一代提升55%，并有望到2031年实现尖端性能。
“这种工程技术确实令人印象深刻，”评估了该论文的独立半导体分析师吉米·古德里奇(Jimmy Goodrich)指出，“但将其称为‘突破’则并不成立。”他说，这是因为华为是在利用现有的工具做一些巧妙的改进——这才是实际情况。
向上堆叠并不算新想法——台积电(TSMC)、英特尔(Intel）、AMD和三星(Samsung)也在这么做。古德里奇说，不同之处在于，这些公司的设计都是在采用极紫外光刻(EUV)技术制造的芯片上堆叠：EUV是过去十年推动该行业取得最大进步的制造工艺。EUV光刻机几乎完全由荷兰的阿斯麦(ASML)制造，而自2019年以来，美国主导的出口管制已禁止向中国销售此类设备。
中国目前还没有本土的替代技术。华为正将堆叠技术宣传为传统芯片演进的替代方案，而非补充手段，原因恰恰在于：能让其成为补充手段的那项关键技术，正是华为求而不得的。
华为关于“韬定律”的论文基本上承认了这一点。该论文在开头指出，对于那些“使用最先进光刻技术受到限制的组织来说，这种限制更早地变得具有约束力，并且更加严重。”几页后又写道：“假设另一个节点将解决该问题，则不再成立。”
古德里奇称，这是“迄今为止来自华为内部最清晰的表态，表明他们已经接受了在可预见的短期内都无法突破EUV壁垒。”
现在来看看差距。华为的目标是通过在成熟制程硅片上进行堆叠，到2031年比肩尖端芯片性能。古德里奇指出，台积电将在2028年达到这一性能水平——并且到2031年将再领先一代，在更先进的芯片上应用同样的堆叠技术。该分析师表示：“到2031年，实际差距是六到八年，而不是华为的公告所暗示的三年。”
古德里奇说，还有一个现实问题。据估计，华为工厂生产的芯片良率只有约20%——这意味着每五颗芯片中就有四颗是有缺陷的。堆叠技术需要将两颗芯片以极高的精度键合在一起。如果单颗芯片的良率本就不高，那么当你需要两颗芯片同时都合格，整体良率只会更加堪忧。
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