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_NEWSDATE: 2025-10-11 | News by: 芯东西 | 有0人参与评论 | _FONTSIZE: _FONT_SMALL _FONT_MEDIUM _FONT_LARGE
芯片良率超过94%。
芯东西10月11日报道，10月8日，复旦大学团队研发的全球首颗二维-硅基混合架构芯片，相关研究成果在国际顶级学术期刊Nature上发表。
该成果将二维超快闪存与成熟互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，解决了存储速率的技术难题。
据复旦大学公众号介绍，这颗芯片性能“碾压”目前的Flash闪存技术，首次实现了混合架构的工程化。依托前期完成的研究成果与集成工作，此次打造出的芯片已成功流片。
基于CMOS电路控制二维存储核心的全片测试支持8-bit指令操作，32-bit高速并行操作与随机寻址，良率高达94.34%。
论文题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室研究员刘春森和教授周鹏为论文通讯作者，刘春森研究员和博士生江勇波、沈伯佥、袁晟超、曹振远为论文第一作者。
论文链接：
https://www.nature.com/articles/s41586-025-09621-8
这是时隔半年，继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，复旦大学在二维电子器件工程化领域再获得的一项里程碑式突破。
今年4月，周鹏-刘春森团队于Nature期刊提出“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理。
其团队研发的“长缨（CY-01）”架构将二维超快闪存器件“破晓（PoX）”与成熟硅基CMOS工艺深度融合，研发出一款基于原子级器件到芯片（ATOM2CHIP）技术实现的全功能二维NOR闪存芯片。- 新闻来源于其它媒体，内容不代表本站立场！
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