傳消息中芯國際制程有望超英特爾

2020-10-19 | 來源: 多維新聞 | 轉到微信 | 有0人參與評論 | 字體: 放大縮小 | 收藏 | 打印

　　近日，中國的半導體產業傳出一系列消息。中芯國際官宣完成了FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全部是自主國產，很快就能實現7nm芯片的量產；全球最大光刻機生產巨頭ASML對外宣布，可以從荷蘭向中國出口DUV光刻機，無需美國許可；華為也正式宣布了Mate40的發布日期為10月22日，華為消費者業務CEO余承東在微博上放出豪言，該機型是“史上最強的華為Mate”。

　　中芯國際7nm芯片有望實現量產。（視覺中國）

　　據中國“21世紀商業評論”撰文稱，這一系列“利好”，證明了中國半導體產業鏈的抗壓性越來越強。2020年4月，華為旗下手機品牌榮耀的Play 4T機型，就采用了中芯國際14nm工藝制造的麒麟710A。

　　事實上，高端芯片一直是中國半導體行業的痛點，尤其是7nm和5nm制程工藝的芯片，可以說決定了當前電子設備的科技含量，全球的科技廠商對此需求極大，也是華為手機最受美國掣肘之處。

　　從芯片代工巨頭台積電第三季度的財報，也可見一斑。10月15日，台積電披露了各大芯片制程工藝的營收占比狀況，7nm工藝仍是第一大收入來源，占比為35%，2020年一度投產的5nm工藝貢獻了近10億美元，占比8%。此外16nm工藝為18%、20nm工藝為1%、28nm工藝為12%，其他工藝為26%。

　　在第三季度，台積電的營收也達到121.4億美元，創下新高。

　　在台積電獨領風騷的情況下，中芯國際能夠通過自主研發實現7nm芯片的量產，以及ASML可以繞開美國許可為其供貨，對中國的半導體產業鏈來說，無疑能帶來巨大突破。

　　一篇題為《“國產芯”突圍刻不容緩》的文章寫道：“芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的芯片流片和測試成功，不僅意味著具有自主知識產權的'國產芯'再次打破國外壟斷，同時也說明'國產版'的7nm芯片制造技術已經得到突破。”

　　關於N+1工藝，中芯國際聯合CEO梁孟松2020年初曾透露，該工藝在功率和穩定性方面和7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機，但在性能方面提升還不夠，所以N+ 1工藝是面向低功耗應用領域的。

　　福布斯中文網也在2020年3月的報道中指出，中芯國際的7nm工藝發展跟台積電路線差不多，7nm節點一共發展三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。

　　需要注意的是，目前世界上可以量產7nm芯片的晶圓代工廠商僅台積電和三星兩家，英特爾10nm產品剛上市不久，7nm芯片可能推遲至2023年。這意味著，中芯有望在制程上趕超英特爾。

　　創道投資咨詢合伙人步日欣對《21CBR》表示，ASML對中國DUV光刻機供貨一直正常，中芯國際受限的只是最高端的EUV光刻機。雖然EUV光刻機本來根據現有規則，不超過美國25%的技術，可以向中國供貨，但是受美國的阻撓，一直沒有恢復。EUV光刻機不能及時到貨，是制約中芯國際向高級線程工藝進展的瓶頸。

　　“雖然消息稱，在現有光刻機基礎上，中芯國際已經實現了媲美7nm工藝的N+1工藝，但從芯片效能和制造成本等角度看，與更高級光刻機實現效果不可避免會有一定差距。中芯國際真正要實現質的突破，還需要更高級的光刻機助力。”步日欣認為，中芯國際5nm2021年商用也不太可能。

　　國海證券10月14日的報告指出，自中芯國際證實被美國列入投資管制清單，國內半導體產業波動加大，中長期看國內半導體全面國產替代勢在必行，給予行業“推薦”評級。

　　中航證券分析師表示，應對美國從產業鏈和資本運作雙方面施壓、進一步遏制其自造芯片能力的手段，一方面，中國企業為不斷提高上游產品庫存，另一方面投入更多科研力量，填補中國半導體產業鏈空白。

　　長期來看，擺脫對國外產品的依賴，符合中國產業鏈轉型的發展需求，美國遏制中國半導體產業鏈的發展也在反向促進中國國產替代的不斷發展。