1.5万亿美元,存储巨头下场"救市"

2026-06-29 | 来源: 腾讯科技 | 转到微信 | 有0人参与评论 | 字体: 放大缩小 | 收藏 | 打印

从左到右依次为美光CEO桑杰、三星电子会长李在镕以及SK集团会长崔泰源。

内存价格正在经历一轮凶猛的上涨。

美国投行Jefferies最新预测，2026年第三季度内存价格环比要涨40%到50%，第四季度再涨30%到40%。随后，2027年全年同比上涨40%至45%，且涨势至少延续到2028年才会放缓。

供应端，全球三大DRAM（动态随机存取存储器）制造商三星、SK海力士和美光的现有产能已经吃紧，当前总产能的一半还被“长期协议”锁死。

扩产也在同期进行。

美光此前已经在美国等市场投资超过1500亿美元新建产能。三星电子和SK集团日前也共同宣布了一项围绕半导体和人工智能基础设施的十年期投资计划：总规模2000万亿韩元，约合1.3万亿美元。三家存储原厂合计投资预计超过1.5万亿美元。

巧合的是，由于三巨头占据90%以上的市场份额，也引来了反垄断诉讼。美国律所Hagens Berman指控它们合谋操控价格，人为制造短缺。

01 存储原厂开始“烧钱”

根据当地媒体的报道，三星和SK集团的人工智能基础设施项目投资项目分散在半导体、显示、电池和数据中心等多个领域，其中半导体是重头。

三星计划在韩国西南部的光州和全罗南道建设4至5座前道（晶圆制造）晶圆厂，投入约300万亿韩元。龙仁半导体集群再建6座晶圆厂，投入360万亿韩元，原计划2048年完工，目前计划提前到2034至2035年。忠清南道天安和温阳的先进封装基地投入超过56万亿韩元，定位是封装研发与生产中心。

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半导体之外，AI数据中心投资超过350万亿韩元，重点选址在忠清南道牙山。

SK海力士计划在光州建设四、五座前道晶圆厂，并在忠清北道清州扩建NAND闪存工厂，相关投资规模约600万亿韩元。

在此之前，SK海力士已经启动了部分扩产项目，但这些项目是否包含在这次公布的新投资计划里，该公司没有说明。

比如，SK集团会长崔泰源曾在6月11日表示，位于清州M15X晶圆厂计划2026年下半年开始运营，初始月产能4万片，预计2027年增至约8万片。

此外，龙仁半导体集群也在加速推进，一期预计2027年初完工，分为6个洁净室，每个洁净室逐步增加月产能6万片，仅第一工厂就可在2030年上半年之前增加月产能36万片DRAM。

美光的扩产，全球市场同步推进，美国本土是核心。

第三财季业绩电话会上，CFO马克·墨菲（Mark Murphy）给出的资本支出指引是：第四财季约100亿美元，2026财年全年270亿美元。他还预告，2027财年的季度资本支出将高于2026财年第四财季水平，其中一半以上的同比增长来自建设资本支出。

目前，在美国爱达荷州博伊西总部园区，美光正新建两座晶圆厂ID1和ID2，总投资500亿美元，是美国有史以来建造的最大洁净室之一。ID1预计2027年中产出首批DRAM晶圆，其中包括HBM用基础芯片。ID2预计2028年底前投产。

纽约州锡拉丘兹的晶圆厂集群投资1000亿美元，是纽约州历史上最大的单笔私人投资，2026年1月已破土动工。

弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂最近启动了1-alpha DDR4技术生产，主要服务汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场对成熟制程产品的需求。

亚洲方面，日本广岛的新建DRAM晶圆厂投资96亿美元，已引入EUV设备。在中国台湾当地收购的现有晶圆厂预计2027年中实现批量产品出货，比预期提前约一个季度。附近同等规模的第二座洁净室已开建，将支持EUV设备。