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老美一个会,芯片以后不用铜和硅了?


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大家听说过 IEDM 吗?


不瞒大家说,直到前两天我收到了一封广告邮件之后,才知道美国在每年的 12 月还会举行这么一个行业峰会。。。

简单来说,IEDM ( 国际电子器件大会, International Electron Devices Meeting ),被誉为半导体领域的 “ 奥林匹克盛会 ” ,会汇集业界巨头( 英特尔、台积电、三星、IBM 等 )和各大顶尖高校,坐在一起头脑风暴。


具体都风暴些啥呢?从晶体管结构、到互连材料,业界巨头和学者们不断抛出新的思路,尝试挑战物理的极限,共同指明未来半导体行业的发展方向。

也就是说,芯片未来怎么发展,很大程度上都得看这个会上都聊了啥。

既然突然撞见了,那托尼今天就带大家理理最近的 IEDM 2025 上都有哪些新方向,给大家聊聊芯片未来会怎么进化。

首先,最近两年在 IEDM 上被反复提及的一个议题是,芯片里头的导体:铜要顶不住了。

我们初中物理课上都学过,在材料、长度和温度一定时,导线的电阻与横截面积成反比,简单来说就是导线越细,电阻越大。



还是用经典的高速公路例子给大家解释,原本宽阔( 导线粗 )的路上六七辆车( 电子 )随便跑,但一旦路变窄( 导线细 )了,车( 电子 )就跑不动了。


所以芯片铜互连材料也是如此,制程越先进电阻越高,而且铜到了纳米级别之后,电子在狭窄的空间里动不动就会撞到边界、拐弯、减速,电阻会上升得比想象中快得多。

这样一来信号传输慢如蜗牛,功耗还会爆炸。

于是乎,在近几年的 IEDM 大会上,电子行业的大佬们已经开始讨论用钌金属 ( Ru )去代替现有的铜作为互连材料,而这回大家又围绕着钌金属提出了很多新的路子。


钌单质长这样



先给大家解释一下,为啥大家都看上了钌金属呢?首先是因为在极细的线宽下, 钌的电阻对 “ 变细 ” 这件事儿没那么敏感,比铜更适合做细。

其次是,钌特别适合一种叫 ALD( 原子层沉积 ) 的工艺。和传统铜互连靠 “ 往里灌再刮平 ” 的电镀工艺不同,ALD 工艺是一层一层地贴,哪怕导电沟槽极度窄和深,也能把钌均匀铺好。

最重要的一点是,这种工艺还能让钌内部的 “ 晶粒排列 ” 更整齐,电子跑起来不容易被反复打断 ——

就好比把原本坑坑洼洼、岔路很多的土路,升级成了平整的柏油路,电阻自然也就降下来了。
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