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三星: 台积电悄悄"掀桌",三星英特尔慌了


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台积电悄悄按下了“2nm”量产启动键,标志着先进芯片制程正式迈入2nm时代,拉开了新一轮半导体技术竞赛的序幕。


台积电2nm制程芯片已投入量产!

没有盛大的产品发布,只是在官网的技术介绍页面上低调提了一句:


台积电2nm(N2)技术已按计划于2025年第四季度投入量产。

简单的一句话,背后是半导体技术物理极限的一次重大突破,标志着台积电2nm级制程进入量产阶段,全球科技迈入了2nm芯片的新时代。

据台积电官方介绍,其N2技术采用了第一代纳米片晶体管(nanosheet transistor)技术。

与已经非常优秀的N3E工艺相比,N2技术在性能与功耗方面实现了全节点的显著提升:

在同样功耗下,性能(速度)提升10%–15%。

在同样速度下,功耗降低25%–30%。

这意味着我们手中的智能手机、驱动AI世界的庞大算力、以及未来一切智能设备,都即将迎来一场性能革命。









位于台湾高雄的晶圆二十二厂(Fab 22)是台积电2nm制程的生产基地

此前台积电已多次表示N2芯片将于2025年第四季度按计划进入量产阶段,此举也意味着该项计划现已兑现。

由“鳍”到“片”

突破3nm极限

一切变革,都始于最微观的结构。

过去十年,从22nm到3nm,芯片行业一直依赖着一项名为“鳍式场效应晶体管”(FinFET)的关键技术。
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