美政府與美光美境內生產尖端芯片

2024-04-25 | 來源: VOA美國之音 | 轉到微信 | 有0人參與評論 | 字體: 放大縮小 | 收藏 | 打印

拜登政府與美光就在美國境內生產尖端存儲芯片達成協議 https://t.co/KnJMrnVvhC

— 美國之音中文網 (@VOAChinese) April 25, 2024

美國總統喬·拜登（Joe Biden）政府星期三（4月24日）與美國存儲芯片制造商美光（Micron）就在美國境內生產尖端存儲芯片達成初步協議，這是數十年來的首次。

拜登政府星期三宣布，美國商務部和美光科技簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片與科學法》（CHIPS and Science Act）提供高達約61.4億美元的直接資金，以提高美國在尖端存儲半導體生產方面的競爭力。所提議的資金將支持在紐約建設兩座動態隨機存儲器（DRAM）晶圓廠，在愛達荷州新建一家DRAM晶圓廠，以擴大芯片生產。

美光的總體願景是創造約2萬個就業機會，並在未來20年催生高達1250億美元的民間資本，其中包括在未來六年內承諾500億美元的資本支出。這些投資將共同推動美光在未來20年內將約40%的DRAM芯片生產轉移到國內的計劃。

在協議裡，紐約州克萊建設計劃中4個“巨型晶圓廠”中的前2個晶圓廠，會專注於尖端DRAM芯片的生產。每座晶圓廠將擁有60萬平方英尺的潔淨室，4個工廠的潔淨室空間總計為240萬平方英尺，這是美國有史以來宣布的最大潔淨室空間，相當於近40個足球場的大小。

另外於愛達荷州博伊西將開發一座高產量制造（HVM）晶圓廠，擁有約60萬平方英尺的潔淨室空間，專注於生產尖端DRAM芯片。該晶圓廠將與該公司的研發設施位於同一地點，以提高研發和制造業務的效率，減少技術轉讓的滯後並縮短領先內存產品的上市時間。

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美國商務部長吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）表示：“尖端存儲芯片是所有先進技術的基礎，在拜登總統的領導下，美國正在重建其生產這些關鍵能力的能力，這是近二十年來的首次。”她表示，通過這項擬議投資，美國正努力實現拜登政府芯片計劃的核心目標之一，將最先進的記憶半導體技術的開發和生產重新引回美國。

雷蒙多說：“這對於維護我們在人工智能領域的領導地位，以及保護我們的經濟和國家安全至關重要。”

美光被廣泛認為是尖端DRAM技術和生產方面的全球領導者，並且是唯一一家總部位於美國的存儲芯片制造商。目前，所有尖端的DRAM芯片制造都在東亞進行。DRAM芯片是無線通信、個人計算、高性能計算、汽車和人工智能等先進技術的重要組件。

美光總裁兼執行長桑賈伊·梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“這是美國半導體制造業的歷史性時刻。”他說：“美光領先的內存技術是滿足人工智能日益增長需求的基石，我們很自豪能夠在美國進行重大的內存制造投資，這將創造許多高科技就業機會。“

美國為重振國內先進芯片的生產不遺余力。拜登政府今年3月份宣布與英特爾（Intel）達成初步協議，向它提供高達85億美元的直接注資，以及110億美元的貸款，以加強美國的供應鏈並重建美國在半導體制造的領先地位。

日前拜登政府還宣布，向三星電子公司（Samsung Electronics）提供最多64億美元的直接資助，在德克薩斯州建立一個電腦芯片制造和研究中心。

此外由於對華芯片出口管制壓力增加，韓國芯片巨頭SK海力士（SK Hynix Inc.）4月初宣布將投資38.7億美元在美國印第安納州建立下一代高帶寬內存（HBM）生產基地，並計劃於2028年下半年開始量產。